正能量

IT之家 8 月 24 日消息，SK 海力士正借助英特尔 EMIB 等先进封装技术打造其下一代 HBM 解决方案，未来将进入 3D 封装阶段。    光影定格温暖，镜头见证公益。8月19日，由山西省体育彩票管理中心主办，人民摄影报社承办的“体彩同行，镜见公益”2026年山西体彩公益主题摄影征集活动正式拉开帷幕。

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IT之家注意到，在 Hot Chips 2026 大会上，SK 海力士封装工程副总裁 Jaesik Lee 发表了题为“高带宽内存的先进封装”（Advanced Packaging for High-Bandwidth Memory）的简报，阐述了公司计划如何利用先进封装技术加速其 HBM 路线图。该公司首先介绍了 HBM 目前的制造方式。HBM 结构由 3D 堆叠结构组成，通过 TSV（硅通孔）将多个核心芯片（DRAM IC）连接到基底裸片（base die）。HBM 目前最高可达 16 层，即 16-Hi 堆叠。HBM 与 GPU 是独立的芯片，但通过 2.5D 封装安装在同一个硅中介层上。

C | 活动即日起面向全社会广泛征稿，邀请每一位摄影爱好者与生活记录者，以镜头捕捉三晋大地上的体彩微光，记录烟火人间的公益力量。

D | 每个 HBM 模块还通过硅中介层包含 1024 个 IO 和 16 个通道，这些 IO 通过 PHY 将 HBM 堆叠连接到 XPU。多年来，山西体彩始终坚守“来之于民、用之于民”的初心使命，所筹集的体彩公益金持续投入全民健身、教育助学、乡村振兴、社会福利等民生领域，悄然浸润三晋大地的每一寸土地。HBM 作为 DRAM 解决方案之所以重要，是因为它节省空间、功耗和运营成本。遍布城乡的健身设施、丰富多彩的群众体育活动、暖心真挚的公益善举、秀美壮阔的三晋风光，皆是山西体彩公益价值的生动体现，值得被记录与传播。为深度挖掘藏在群众身边的公益故事，定格平凡岁月中的温暖瞬间，传递公益体彩的责任与温度，本次征集活动零门槛面向全社会开放，无论专业摄影从业者还是业余摄影爱好者，均可踊跃参与。参赛作品须取材于山西省本土，征稿截止时间为2026年10月31日。

E | 本次活动题材不限，建议聚焦四大创作题材：一是公益民生变迁，聚焦体彩公益金赋能的乡村操场、社区健身角、公共体育设施升级等民生变化；二是暖心公益瞬间，捕捉体彩志愿服务、邻里帮扶、爱心助力等温情画面；三是全民健身活力，记录三晋百姓参与体育运动、昂扬向上的精神风貌；四是三晋山河之美，描摹山西山水人文风光，展现公益赋能下的地域崭新面貌。典型的 GDDR6 方案可提供 24GB 容量和 768GB/s 带宽，而配备四个堆叠的 HBM3E 方案可节省多达一半的空间，同时提供高达 144GB 容量和 4TB/s 带宽。本次赛事评审阵容专业权威、奖项丰厚暖心。11月上旬，主办方将邀请资深摄影专家、主流媒体代表、高校专业教师组成权威评审团，按照公平、公正、公开的原则对参赛作品进行专业评审；11月下旬将举办线下成果展示活动，集中呈现获奖及优秀参赛作品。

F | SK 海力士目前的路线图将 HBM4 作为顶级产品，DRAM 密度高达 24Gb，容量最高达 36GB，总计 2048 个 IO 位，IO 速度最高 8Gbps，带宽达 2048GB/s。

HBM4 的封装高度和尺寸都有所增加，集成的 TSV 和微凸点也比 HBM3E 更多。奖项设置：金质收藏1名（5000元收藏礼包）、银质收藏2名（3000元收藏礼包）、铜质收藏3名（1000元收藏礼包），收藏礼包含稿酬及定制纪念品；另设优秀作品奖20名（200元稿酬）、人气作品奖30名（100元稿酬）。所有入选作品将统一纳入山西体彩官方影像库，额外收藏作品按100元/张标准发放稿酬。

G | 具体成果如下：带宽超过 2TB/s功耗效率提升 40% 以上相比 HBM3E 耐热性提升 14% 以上容量最高 48GB（12-Hi 已量产，16-Hi 正在认证中）Z 轴高度 775 微米，尺寸 12.8x11 平方毫米16,148 个底部微凸点超过 2 万个 TSV

目前主要有两种 HBM 封装技术：热压键合 + 非导电膜（TC+NCF）和整体回流 + 模塑底部填充（MR+MUF）。TC+NCF 对芯片翘曲问题有更好的抵抗力，但热阻更高、生产率较低。MR+MUF 生产率更高、热阻更低，但更容易出现芯片翘曲，且在间隙填充方面存在缺陷。SK 海力士还重点介绍了其 HBM 工艺流程，包括从晶圆厂到客户系统的六个关键阶段。

H | 除征稿评审环节外，本次活动配套内容精彩纷呈、亮点十足。

I | 活动期间，将开展“金镜头”摄影名家采风、“公益体彩·快乐操场”公益体验行、“体彩公益大讲堂”等系列特色活动，以多元形式搭建摄影交流平台、普及体彩公益理念，持续传递体彩温度与担当。目前，活动官方投稿通道已全面开启。参赛者可登录《人民摄影》官方网站参与线上投稿，也可将参赛作品发送至官方指定邮箱：[email protected]。诚邀广大摄影爱好者执镜记录，定格公益微光，见证体彩担当，用光影书写三晋大地的公益答卷！。

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SK 海力士在 HBM 封装中集成了四项关键技术，包括：TSV（硅通孔）形成晶圆减薄微凸点形成芯片堆叠 / 底部填充先进的 MR-MUF 已应用于 SK 海力士的 16-Hi HBM3E 方案，并引入了两项新技术：翘曲控制和细间距互连与窄间隙填充。

K | 总封装高度增至 775 微米，芯片厚度缩减至 0.9 倍，间隙高度缩减至 0.5 倍，凸点间距缩减至 0.9 倍。展望未来，还有一些关键挑战需要解决。首先是随着带宽需求激增带来的 HBM 功耗上升，其次是散热问题以及 TSV 区域面积。随着 TSV 数量增长，尽管 TSV 间距不断缩小，但所占面积仍在持续增加。此外，每两代带宽近乎翻倍，给现有工艺和封装技术带来了 2.2 倍的热负担。

L | 因此，SK 海力士正在研究混合键合（Hybrid Bonding）等未来技术方案，以突破 16-Hi 堆叠限制，通过更窄的间距提供更高性能，并通过更高的导电性实现更好的散热效率。SK 海力士展示的数据显示，与 MR-MUF 工艺相比，混合键合可使核心芯片厚度增加 24%，TSV 间距小于 18 微米。即使堆叠层数增加，混合键合的热阻仍可降低 35%。与三星的 HPB（散热路径模块）类似，SK 海力士正在开发自己的局部热点缓解技术，名为 I-HBM，该技术在 HBM D2D PHY 区域（热点附近）嵌入高导热且电绝缘的冷却组件，打造专用散热路径，可额外降低 30% 以上的热阻。展望未来，SK 海力士计划通过 TSV 数量翻倍、结合逻辑工艺集成提升 IO 速度来增加带宽，同时利用最新优化的逻辑代工工艺解决功耗 / PDN（电源分配网络）挑战，通过“无处不在”的电源 TSV 大幅改善 PDN。HBM 技术对更高功率密度、带宽和堆叠高度的持续追求，带来了显著的热学、力学和封装挑战，其驱动因素包括更厚的氧化层、更密集的 TSV 和不断攀升的引脚速度。MLMO、优化的微凸点、新兴的混合键合（用于改善热导率、工艺窗口和更细的间距）以及 I-HBM 等热点解决方案正在积极应对这些问题。然而，随着堆叠向 16-20 层高度演进，架构向与逻辑芯片更紧密的 3D 集成方向发展，成功将要求设计、材料、客户工艺和中介层技术之间更紧密的协同优化。行业内的持续合作对于满足未来工作负载对容量和带宽的需求仍然至关重要。该公司还在其 2.5D HBM 方案幻灯片中展示了英特尔 EMIB 封装技术，与 CoWoS-L、CoWoS-R 和 CoWoS-S 并列。值得注意的是，有传闻称英特尔和 SK 海力士将在存储领域成立合资公司。SK 海力士还展示了不同的先进封装技术如何以不同方式对 HBM / 中介层施加应力。最后，SK 海力士着眼于未来的 3D 集成，这将使其能够在加速器之上堆叠 HBM，一旦先进逻辑和先进封装技术成熟，这将是人人都想实现的一步。